半导体激光器电噪声与非辐射复合电流的相关性

• 作者: 张素梅 张锋刚 李红岩 石家纬 胡贵军
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 高功率 电噪声 非辐射电流
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 12-14
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1394字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2001.01.003

摘要

测量了50余只980 nm InGaAsP/InGaAs/AlGaAs双量子阱高功率半导体激光器的低频电噪声及其V-I特性。结果表明，小注入情况下，980 nm半导体激光器的低频电噪声主要表现为1/f特性，并与器件的表面非辐射复合电流有着良好的对应关系。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石家纬	吉林大学电子工程系	16	101	6.0	9.0
2	胡贵军	吉林大学电子工程系	63	332	12.0	16.0
3	张素梅	吉林大学电子工程系	7	35	3.0	5.0
4	李红岩	吉林大学电子工程系	11	61	5.0	7.0
5	张锋刚	吉林大学电子工程系	2	8	1.0	2.0