一种新的等离子体边缘损伤的测量方法

• 作者: 张进城 朱志炜 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 边缘损伤 天线比 电荷泵
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1474-1480
• 页数: 7页
• 分类号: TN306
• 字数: 4149字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.11.024

摘要

在等离子体刻蚀多晶硅工艺中,栅边缘氧化层直接暴露在等离子体环境中,由于UV射线的作用栅边缘处将会产生损伤,这种损伤包含了大量的界面态和氧化层陷阱.文中讨论了等离子体边缘损伤与圆片位置关系、天线比之间的关系及它们对器件长期可靠性的影响,并使用了低频局部电荷泵技术.测量的结果包含了损伤产生的快、慢界面态和氧化层陷阱的信息,可以较好地测量工艺中产生的栅边缘损伤,为评估薄栅MOSFET的栅边缘损伤提供了一种简单快捷的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学徽电子所	312	1866	17.0	25.0
2	张进城	西安电子科技大学徽电子所	52	301	9.0	14.0
3	朱志炜	西安电子科技大学徽电子所	19	96	5.0	8.0