在ELO-GaN衬底上生长的AlGaInN高功率激光器

• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaInN 半导体激光器 侧向外延氮化镓
• 年，卷（期）: 2001,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 83-86
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 1159字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.020

摘要

在ELO-GaN基层上用激光进行条状化处理,可以明显地改善AlGaInN激光二极管的位错密度和界面的粗糙度.其结果是可使激光二极管的寿命,在50℃,30mW输出的连续工作条件下超过1 000小时.