纳米晶SnO2透明导电薄膜的研制

• 作者: 王占和 祝侃 郝群
• 来源期刊: 光学技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 SnO2薄膜 导电特性 光学透过率
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 光电技术
• 页码范围: 22-23，26
• 页数: 3页
• 分类号: O484|TN305.92
• 字数: 1677字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-1582.2001.01.009

摘要

阐述了金属氧化物透明导电薄膜研究的发展情况及其应用前景。介绍了采用磁控溅射技术， 使用混合气体Ar和O2，在衬底温度为150～400℃的耐热玻璃基片上制备纳米晶SnO2：Sb 透明导电薄膜，通过测定X射线衍射谱，表明薄膜择优取向为［110］和［211］方向。测量 了SnO2：Sb薄膜的导电特性随衬底温度及氧分压的变化。光学特性测量结果表明薄膜具有 较高的透过率。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝群	北京理工大学光电工程系	90	760	14.0	24.0
2	王占和	北京理工大学电子工程系	12	198	5.0	12.0
3	祝侃	北京理工大学电子工程系	4	32	2.0	4.0