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用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性
用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性
作者:
熊卫华
熊祖洪
陆日方
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
光电流
多孔硅微腔
PL谱
摘要:
利用光电流谱对全硅基多孔硅微腔的吸收特性进行了研究,在光电流谱中观察到λ1=742nm主峰.同时也对多孔硅微腔的PL谱和单层多孔硅的光电流谱进行了测量,结合有效折射率方法和菲涅耳公式,对照PL谱和单层多孔硅的光电流谱,对常温下多孔硅微腔的光电流谱进行解释.
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文献信息
篇名
用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
光电流
多孔硅微腔
PL谱
年,卷(期)
2001,(9)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1127-1130
页数
4页
分类号
TN304.1+2
字数
1462字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.008
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
熊祖洪
5
63
4.0
5.0
2
熊卫华
1
4
1.0
1.0
3
陆日方
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节点文献
光电流
多孔硅微腔
PL谱
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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