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摘要:
利用光电流谱对全硅基多孔硅微腔的吸收特性进行了研究,在光电流谱中观察到λ1=742nm主峰.同时也对多孔硅微腔的PL谱和单层多孔硅的光电流谱进行了测量,结合有效折射率方法和菲涅耳公式,对照PL谱和单层多孔硅的光电流谱,对常温下多孔硅微腔的光电流谱进行解释.
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文献信息
篇名 用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 光电流 多孔硅微腔 PL谱
年,卷(期) 2001,(9) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1127-1130
页数 4页 分类号 TN304.1+2
字数 1462字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 熊祖洪 5 63 4.0 5.0
2 熊卫华 1 4 1.0 1.0
3 陆日方 1 4 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
光电流
多孔硅微腔
PL谱
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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8
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35317
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