AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究

• 作者: Arakawa Y Someya T 刘杰 周慧梅 张荣 施毅 沈波 蒋春萍 褚君浩 郑国珍 郑有炓 郑泽伟 郭少令 钱悦
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁传输特性 二维电子气 AlxG1-xN/GaN
• 年，卷（期）: 2001,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 67-70
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 1371字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.016

摘要

在1.5K低温和0～9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质.实验结果在4块样品中都观察到了Shubnikov-da HaSS振荡的双周期行为.表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据.通过电子子带占据时电子浓度分配的线形行为得到第二子带被占据的阈值浓度为7.2×1012cm-2.通过对不同样品量子散射时间和输运迁移率的研究,说明在1.5K下远程离化施主散射在量子散射时间中起主要作用.