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摘要:
提出一种采用微分电导法(R□)分别检测实验样品和陪测样品的R□,同时引入α和αn因子分别评估自掺杂多晶硅生长前Si表面清洗状况(SIS层厚度)和自掺杂多晶硅生长后退火或后续高温多晶硅杂质载流子退火特性以及杂质在POLY/SIS/Si界面流动情况.通过实际检测发现这种方法可以定性判断SIS厚薄和了解自掺杂多晶硅生长后退火或后续高温多晶硅杂质载流子退火特性以及可以半定量估算出自掺杂多晶硅杂质流向N-层或N+层流向自掺杂多晶硅层的杂质总量.
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文献信息
篇名 采用微分电导法(R□)评估POLY/SIS/Si界面状况
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 微分电导法 POLY/SIS/Si
年,卷(期) 2001,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 733-736
页数 4页 分类号 TN321
字数 3037字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.06.012
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研究主题发展历程
节点文献
微分电导法
POLY/SIS/Si
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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6983
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