等离子体化学气相沉积非晶SiOx∶H（0≤x≤2.0）薄膜的红外光谱

• 作者: 何乐年
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: PECVD 非晶氧化硅薄膜 红外吸收光谱 Si—O—Si键
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 587-593
• 页数: 7页
• 分类号: O484.1
• 字数: 4587字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.05.011

摘要

以等离子体化学气相沉积法（PECVD）在300℃下用SiH4和O2混合气体制备了非晶SiOx∶H (a-SiOx∶H,0≤x≤2.0) 薄膜，并用傅里叶红外光谱（FT-IR）测试分析了薄膜中的Si—O—Si键红外吸收特性.Si—O—Si伸缩振动模在1050cm-1和1150cm-1附近有两个吸收峰，而弯曲振动模在800cm-1附近有一个吸收峰.1050cm-1和1150cm-1吸收带的吸收强度之和Isum与薄膜中的Si原子密度NSi之比Isum/NSi在氧含量x=0—2.0的范围内和x成正比.求得氧含量比例系数ASiO（Si—O谐振子强度的倒数）为1.48×1019cm-1.另外，a-SiO2薄膜的800cm-1和1050cm-1吸收峰的表观吸收系数αapp和膜厚d成正比:αapp=kd，求得吸收比例系数k分别为3.2×103和2.9×104cm-1.比较发现k值的大小和a-SiO2薄膜的致密性密切相关.利用上述ASiO和k比例系数，可快速简便地用非破坏性的FT-IR测定PECVD a-SiOx∶H的氧含量x以及a-SiO2的膜厚d.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何乐年	浙江大学信息与电子工程学系	88	869	16.0	26.0