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摘要:
建立了反映半导体微腔激光器特性的模型。借助计算机手段,运用Matlab软件 直接给出了半导体微腔激光器瞬态响应的仿真结果及载流子密度和光子密度的相图。分析了自发辐射因子、注入电流和腔长对微腔激光器的激射阈值、延迟时间、驰豫振荡频率和光输出等参量的影响。该模型及有关结论为半导体微腔激光器的工艺制作,改善的高频调制特性和优化器件结构提供了理论依据。
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文献信息
篇名 半导体微腔激光器瞬态特性的分析
来源期刊 光电工程 学科 工学
关键词 半导体激光器 微腔激光器 瞬态响应 相图 自发辐射因子
年,卷(期) 2001,(2) 所属期刊栏目 激光器
研究方向 页码范围 39-42
页数 4页 分类号 TN248.4
字数 1895字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-501X.2001.02.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 潘炜 西南交通大学计算机与通信工程学院 210 1270 17.0 25.0
2 罗斌 西南交通大学计算机与通信工程学院 196 1240 15.0 26.0
3 吕鸿昌 西南交通大学计算机与通信工程学院 17 115 6.0 9.0
4 张晓霞 西南交通大学计算机与通信工程学院 15 101 6.0 9.0
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研究主题发展历程
节点文献
半导体激光器
微腔激光器
瞬态响应
相图
自发辐射因子
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光电工程
月刊
1003-501X
51-1346/O4
大16开
四川省成都市双流350信箱
1974
chi
出版文献量(篇)
4776
总下载数(次)
5
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