Cu的表面偏聚对NiFe/FeMn交换耦合场的影响

• 作者: 于广华 姜宏伟 朱逢吾 赖武彦
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 工学
• 关键词: NiFe/FeMn 交换耦合场 织构 表面粗糙度 表面偏聚
• 年，卷（期）: 2001,（15）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 1258-1260
• 页数: 3页
• 分类号: TM2
• 字数: 2930字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2001.15.007

摘要

采用磁控溅射方法制备了分别以Ta和Ta/Cu作为缓冲层的两种NiFe/FeMn双层膜.实验发现,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场比以Ta/Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场大.测量了这两种双层膜的织构、表面粗糙度和表面成分.结果表明以Ta/Cu为缓冲层时,Cu在NiFe层的表面偏聚是造成NiFe/FeMn双层膜交换耦合场降低的重要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于广华	北京科技大学材料物理系	88	372	9.0	14.0
2	朱逢吾	北京科技大学材料物理系	54	229	8.0	12.0
3	姜宏伟	中国科学院物理研究所	6	13	2.0	3.0
4	赖武彦	中国科学院物理研究所	23	143	7.0	11.0