硅片发生室温键合所需的平整度条件

• 作者: 余金中 韩伟华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 室温键合界面缝隙 粗糙度 薄板弹性形变
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1516-1518
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 1709字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.12.007

摘要

根据薄板弹性力学,推导了室温键合过程中硅片接触表面缝隙封闭的临界条件.硅片的表面起伏幅度、起伏的空间波长、表面张力、材料弹性和硅片厚度都是影响接触表面缝隙封闭的重要因素,越薄的硅片越容易室温键合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余金中	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室	110	703	13.0	21.0
2	韩伟华	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室	20	98	5.0	9.0