三元合金Ga0.52In0.48P的喇曼散射谱

• 作者: 吕毅军 李志锋 王晓光 蔡炜颖 郑健生 高玉琳
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ⅲ-Ⅴ族半导体 喇曼散射 有序度
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 107-110
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 字数: 1765字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.02.003

摘要

采用室温下微区Raman散射方法，观测到了GaInP2的LO双模行为和禁戒的TO模，由于晶格有序导致晶体对称性从Td降低为C3v，从而使禁戒的TO模变为Raman活性。在所有的样品中都观测到了由晶格无序激活的DALA模。在有序样品中，除观测到了二级Raman散射峰LO1+LO2以外，还观测到了由超晶格效应所导致的FLA折叠模和LO模的分裂。对LO模峰谷比b/a的分析表明，随着晶格有序度的增加，b/a值减小。这是因为：一方面主要是由于禁戒的TO模变为Raman活性所引起的，另一方面，还可能有LO1模和LO2模分裂的贡献。在实验上，可以用b/a值或FLA的强度来表示样品的有序度。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓光	中国科学院上海技术物理研究所	38	172	7.0	11.0
2	李志锋	中国科学院上海技术物理研究所	37	186	8.0	12.0
3	蔡炜颖	中国科学院上海技术物理研究所	9	17	2.0	3.0
4	高玉琳	厦门大学物理系	22	66	4.0	7.0
5	吕毅军	厦门大学物理系	26	77	4.0	8.0
6	郑健生	厦门大学物理系	17	28	4.0	4.0