MOS结构中薄栅氧化层高场退火效应的研究

• 作者: 张进城 朱志炜 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MOS结构 薄栅氧化层 高场退火 退陷阱
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1585-1589
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3373字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.08.034

摘要

深入研究了MOS结构中薄栅氧化层在高电场下的退火效应，对氧化层陷阱电荷的退陷阱机理进行了深入探讨.通过实验和模拟对氧化层陷阱电荷的退陷阱机理和生长机理进行了比较，给出了满意的物理解释.负栅压退火和正栅压退火的比较表明负栅压退火更为有效.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	张进城	西安电子科技大学微电子研究所	52	301	9.0	14.0
3	朱志炜	西安电子科技大学微电子研究所	19	96	5.0	8.0