双极双栅MOS晶体管静态特性解析模型的模拟与分析

• 作者: 曾云 金湘亮
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 双极器件 双栅器件 MOSFET BDGMOSFET 功率电子
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 157-160
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3309字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2001.03.002

摘要

提出了一种应用于VHF和UHF的新型功率电子器件--双极双栅MOS晶体管(BDGMOSFET),该结构是在单栅MOSFET一侧引入双极型压控晶体管(BJMOSFET)[1],使之在正向工作时具有MOSFET和BJT的工作特性,通态电阻较小,同时,减少了寄生双极晶体管效应,改善了频率特性.文章对其静态特性的解析模型进行了详细研究,在该模型基础上运用通用电路模拟软件PSPICE的多瞬态分析法[2]模拟了BDGMOSFET的直流特性,结果表明,在同等条件下,BDGMOSFET的电流密度比双栅MOSFET提高大约30%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾云	湖南大学应用物理系	102	899	13.0	27.0
2	金湘亮	中国科学院微电子中心	10	94	3.0	9.0