反应磁控溅射的进展

• 作者: 茅昕辉 蔡炳初 陈国平
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 反应磁控溅射 中频溅射 脉冲溅射 化合物薄膜
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.8
• 字数: 7083字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2001.04.001

摘要

反应磁控溅射被广泛应用于制备化合物薄膜.本文分析了反应磁控溅射中迟滞效应、靶中毒与打火现象,讨论了提高反应磁控溅射沉积速率、抑制靶面打火与保持溅射过程稳定性的途径.在阐述了近年来反应磁控溅射最新研发进展的基础上,介绍了中频溅射在减反膜、高反膜和低辐射率膜工业化生产中的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡炳初	上海交通大学微纳米科学技术研究院	49	769	15.0	26.0
2	茅昕辉	上海交通大学微纳米科学技术研究院	8	172	5.0	8.0
3	陈国平	东南大学薄膜研究所	4	141	3.0	4.0