温度、Ge含量和掺杂浓度对Si1-xGex

• 作者: 张利春 金海岩
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅材料 禁带变窄量 费米能级 简并半导体
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1122-1126
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 3153字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.007

摘要

提出了锗硅材料禁带宽度随锗含量、温度及掺杂浓度变化的经验公式,改善了以往经验公式局限性较大的缺点,拓宽了公式的使用范围.分析并计算了不同温度、掺杂浓度以及不同材料的禁带变窄量,与实验数据进行了对比,两者符合得很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张利春	北京大学微电子学研究所	18	48	4.0	5.0
2	金海岩	北京大学微电子学研究所	12	32	4.0	5.0