氨苄青霉素降解产物在汞膜电极上的伏安法研究

• 作者: 张玉忠 袁倬斌
• 来源期刊: 分析试验室
• 学科: 化学
• 关键词: 氨苄青霉素 玻碳汞膜电极 伏安法
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 16-18
• 页数: 3页
• 分类号: O657.1
• 字数: 1843字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0720.2001.04.005

摘要

考察了氨苄青霉素在酸、碱条件下的降解产物于玻碳汞膜电极上的伏安行为，降解产物在醋酸缓冲溶液(pH 5.5) 的底液中均产生了灵敏的阴极还原峰，以碱降解条件为好。已将方法应用于模拟样品的分析。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁倬斌	中国科学院研究生院化学部	102	1144	21.0	26.0
2	张玉忠	中国科学院研究生院化学部	14	195	9.0	13.0