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摘要:
介绍了一种采用反应溅射工艺,通过控制不同气氛的分布制备VOx薄膜的方法,并制备出电阻温度系数(TCR)优于-2%的非制冷红外探测器用VOx薄膜。其XPS、XRD分析结果表明,薄膜的生长情况与制备工艺条件有密切关系。
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文献信息
篇名 非制冷红外探测器用VOx薄膜的制备
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 非制冷红外探测器 VOx薄膜 反应溅射 电阻温度系数
年,卷(期) 2001,(1) 所属期刊栏目 研究论文与技术报告
研究方向 页码范围 38-40
页数 3页 分类号 TN215|O484.1
字数 1400字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5868.2001.01.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李华高 10 55 3.0 7.0
2 杨子文 2 43 1.0 2.0
3 刘爽 电子科技大学重庆光电技术研究所 65 410 11.0 17.0
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研究主题发展历程
节点文献
非制冷红外探测器
VOx薄膜
反应溅射
电阻温度系数
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
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