平面工艺辐射探测器的研制

• 作者: CHEN Shi-yuan 刘诗美 宁宝俊 张太平 张录 张洁天 田大宇 郭昭乔 陈世媛
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: PIN二极管 暗电流 复合中心 少子寿命
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 354-357
• 页数: 4页
• 分类号: O572.11
• 字数: 2741字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.03.022

摘要

使用高阻Si材料,通过氧化、光刻、注入和退火工艺技术研制粒子探测器——PIN二极管．采取HCl氧化、慢降温等工艺措施可减小PIN二极管的暗电流(反向电流)，这对于提高器件性能起到了关键作用．电压为-5V时,探测器的暗电流可达nA/cm2量级．讨论了器件暗电流与少子寿命的关系．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁宝俊	北京大学微电子所	15	100	5.0	9.0
2	张太平	北京大学微电子所	8	77	5.0	8.0
3	张录	北京大学微电子所	7	30	4.0	5.0
4	田大宇	北京大学微电子所	12	46	5.0	6.0
5	刘诗美	北京大学微电子所	1	7	1.0	1.0
6	张洁天	北京大学物理系	6	66	4.0	6.0
7	郭昭乔		1	7	1.0	1.0
8	陈世媛		1	7	1.0	1.0