离子束溅射制备ZnO:Zn荧光薄膜

• 作者: 张福民 徐静芳 李炜 李琼 柳襄怀 王曦 茅东升 诸玉坤 邹世昌
• 来源期刊: 材料研究学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO:Zn 荧光薄膜 热处理 光致发光
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 33-40
• 页数: 8页
• 分类号: TB383
• 字数: 4020字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-3093.2001.01.006

摘要

用离子束溅射法制备了用于场发射显示器(FED)的ZnO:Zn荧光薄膜.采用RBS、XRD、AFM、Hall和PL谱等手段表征了热处理前后的薄膜.RBS结果表明薄膜中存在一定数量的过量Zn.沉积态的薄膜中同时含有非晶相和晶相,其表面形貌表现出多种结构.Hall检测发现,升高热处理温度能降低薄膜中的自由载流子浓度,说明过量Zn含量的下降;当热处理温度超过400℃时,Hall迁移率迅速上升,表明薄膜结晶性能的改善.在ZnO:Zn薄膜的PL谱中检测到紫外/紫光、蓝/绿光两组荧光峰,一价氧空位(Vo)充当了蓝/绿光的发光中心.薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大,可能的原因包括薄膜结构缺陷的修复、成分均匀化和过量Zn的蒸发,但这些效应在不同温度范围的作用程度各不相同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王曦	中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室	60	322	10.0	15.0
2	李炜	中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室	21	189	7.0	13.0
3	柳襄怀	中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室	20	202	9.0	14.0
4	邹世昌	中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室	20	60	4.0	7.0
5	李琼		9	54	4.0	7.0
6	徐静芳		5	40	2.0	5.0
7	张福民	中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室	3	18	1.0	3.0
8	茅东升	中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室	2	28	2.0	2.0
9	诸玉坤		2	35	2.0	2.0