MBE生长氮化镓薄膜的X光电子谱和俄歇电子谱分析

• 作者: 徐卓 李爱珍 苑进社 陈光德 齐鸣
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN X光电子谱 俄歇电子谱 分子束外延
• 年，卷（期）: 2001,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 75-78
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 1377字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.018

摘要

用X光电子谱和俄歇电子能谱的方法对射频等离子体辅助分子束外延(MBE)技术生长的氮化镓(GaN)薄膜进行了表面分析和深度剖析.发现薄膜实际表面存在O和C吸附层,C主要为表面污染,而O形成一定的深度分布,从而影响氮化镓薄膜的电学和光学性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苑进社	西安交通大学应用物理系	10	128	5.0	10.0
3	徐卓	西安交通大学电子材料研究所	106	610	13.0	18.0
4	齐鸣	中国科学院上海冶金研究所	34	145	8.0	9.0
5	李爱珍	中国科学院上海冶金研究所	52	397	10.0	16.0
6	陈光德	西安交通大学应用物理系	65	517	13.0	18.0