一个适用于模拟电路的深亚微米SOI MOSFET器件模型

• 作者: 廖怀林 张兴 王阳元 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 器件模型 深亚微米器件 SOI MOSFET 模拟电路
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 329-334
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4067字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.03.017

摘要

从数值解源端和饱和点的表面电势出发，考虑模拟电路对SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区间连续并且高阶可导以及全耗尽和部分耗尽两种工作模式的转变，构建了一个能够满足这些要求的精确的器件模型．同时包含了深亚微米SOI MOSFET的一些二级效应如漏极诱生势垒降低效应（DIBL）、速度饱和效应、自热效应等．这个模型的参数相对较少并且精确连续，能够满足在模拟电路设计分析中的应用要求．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	廖怀林	北京大学微电子所	13	54	3.0	7.0
2	黄如	北京大学微电子所	87	413	9.0	17.0
3	张兴	北京大学微电子所	120	618	12.0	20.0
4	王阳元	北京大学微电子所	78	1128	15.0	32.0