Co-Si合金膜的结构和磁光克尔效应

• 作者: 唐少龙 蔡金华 都有为
• 来源期刊: 南京大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: Co-Si 合金 合金膜 磁光克尔效应
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 63-67
• 页数: 5页
• 分类号: O482.55|O484.4
• 字数: 1768字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0469-5097.2001.01.009

摘要

用射频磁控溅射在衬底温度(Ts)为400℃和室温(RT)两种情形制备了Co1-xSix(0.0≤x≤0.34)合金膜.X射线衍射结果表明在这些合金膜中出现了不同程度的hcp(002)取向.在室温下沉积的薄膜中,仅在x=0.0时有明显的hcp(002)取向.在400℃下沉积的薄膜中,随着硅含量x的增加,hcp(002)取向先是增强,继而在x=0.34时消失.相应与此的400℃下沉积的薄膜的θk(H)、(M(H))回线在x=0.23时出现了磁滞现象(Hc≈64kA/m),并且有大约20%的比剩余克尔旋转(比剩余磁化强度).同时,当x≤0.23,硅的加入使得钻硅合金的克尔旋转在蓝光及近紫外区相比于纯钴来说有所加强,其值约为-0.3°～-0.4°.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	都有为	南京大学物理系	108	1372	18.0	34.0
2	唐少龙	南京大学物理系	7	12	2.0	3.0
3	蔡金华	南京大学物理系	1	0	0.0	0.0