MIS／IL p-Si太阳电池的几种低温表面钝化

• 作者: 孙铁囤 崔容强 曾为民
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 钝化 界面态 固定正电荷 C- V测量
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 21-24
• 页数: 4页
• 分类号: TK514
• 字数: 2166字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2001.01.005

摘要

对P-硅基体的MOS，MNS，MNOS3种钝化系统通过C-V特性测试和电性能分析，系统比较了不同结构及在不同的工艺条件下的介面态，介面固定正电荷和漏电流等参数。结果表明对于MIS／Ilp-Si太阳电池，通过工艺优化，MNOS可以发挥良好的表面钝化和存储固定正电荷的功能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔容强	上海交通大学应用物理系太阳能研究所	38	544	14.0	22.0
2	孙铁囤	上海交通大学应用物理系太阳能研究所	11	95	5.0	9.0
3	曾为民	上海交通大学应用物理系太阳能研究所	1	1	1.0	1.0