Si3N4薄膜的表面微观特性

• 作者: 丁振峰 任兆杏 吴先球 王德秋 陈俊芳
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化硅:薄膜表面平整度 沉积温度
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 298-300
• 页数: 3页
• 分类号: O434.14
• 字数: 3065字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.03.029

摘要

利用偏心静电单探针诊断了反应室内的等离子体密度的空间分布;在不同的工艺条件下制备了Si3N4薄膜;由STM和Telystep-Hobbso轮廓仪研究了ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜的表面微观特性,分析了沉积温度对ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜表面平整度特性影响的物理机理;结果表明ECR-PECVD制备的薄膜是一种表面均匀致密的纳米Si3N4薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴先球	华南师范大学物理系	125	760	15.0	24.0
2	陈俊芳	华南师范大学物理系	69	768	12.0	26.0
3	任兆杏	中国科学院等离子体物理研究所	20	209	9.0	14.0
4	王德秋	华南师范大学物理系	2	18	2.0	2.0
5	丁振峰	中国科学院等离子体物理研究所	1	11	1.0	1.0