纳米晶氧化锡薄膜的接触特性

• 作者: 王占和 祝侃 蒋煜婧 郝群
• 来源期刊: 光学技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米晶SnO2薄膜 电极 传输线模型 接触特性
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 光学材料
• 页码范围: 346-347
• 页数: 2页
• 分类号: O738
• 字数: 987字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-1582.2001.04.010

摘要

在Ar和O2气体中,基片温度在150～400℃的条件下,用直流磁控溅射的方法可以制备纳米晶透明导电薄膜.实验利用TLM模型测试了纳米晶SnO2透明导电薄膜的方块电阻、单位面积薄膜的接触电阻和电极与薄膜的结合力随热处理温度的变化情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝群	北京理工大学光电工程系	90	760	14.0	24.0
2	王占和	北京理工大学电子工程系	12	198	5.0	12.0
3	蒋煜婧	北京理工大学电子工程系	2	6	2.0	2.0
4	祝侃	北京理工大学电子工程系	4	32	2.0	4.0