原位合成MoSi2/SiC复合材料的组织缺陷

• 作者: 傅晓伟 孙祖庆 张来启 朱静 杨王
• 来源期刊: 北京科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: MoSi2-SiC复合材料 原位合成 界面 位错 层错 孪晶
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 249-252
• 页数: 4页
• 分类号: TB332|TG148
• 字数: 3410字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-053X.2001.03.016

摘要

TEM和HREM研究表明,原位合成MoSi2基复合材料的组织中,基体MoSi2中存在较多的位错,而且尤以MoSi2与SiC的界面处位错最为集中,SiC颗粒的内部缺陷的主要形式为孪晶和层错.纳米力学探针分析表明,MoSi2/SiC界面附近存在明显的硬度梯度.在材料制备冷却过程中,因MoSi2基体与SiC颗粒之间的热膨胀系数(CTE)的差别而导致的其中的残余热应力是造成上述组织特征的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张来启	北京科技大学材料科学与工程学院	49	440	12.0	18.0
2	杨王	北京科技大学材料科学与工程学院	3	22	2.0	3.0
3	傅晓伟	北京科技大学材料科学与工程学院	4	37	4.0	4.0
4	朱静	北京科技大学材料科学与工程学院	2	18	2.0	2.0
5	孙祖庆	清华大学材料科学与工程学院	1	11	1.0	1.0