Si（111）-(3×3)R30°-Ga表面原子结构

• 作者: 何永健 唐叔贤 徐耕 谢茂海 邓丙成 陈文华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Si 表面 原子结构
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 427-430
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.1
• 字数: 1826字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.04.008

摘要

利用自动张量低能电子衍射(ATLEED)定量地研究Si（111）-（3×3）R30°-Ga重构表面的原子结构．证实了Ga原子吸附在T4位即第二层Si原子所对的空位上，同时给出了表面最顶层7个原子层的详细坐标．可靠性因子RVHT＝0.143表明理论计算和实验符合得非常好．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐耕	中山大学物理系	4	2	1.0	1.0
2	邓丙成	华南建设学院西院基础部	3	2	1.0	1.0
3	陈文华	香港大学物理系	2	2	1.0	1.0
4	何永健	香港大学物理系	2	2	1.0	1.0
5	谢茂海	香港大学物理系	2	2	1.0	1.0
6	唐叔贤	香港大学物理系	2	2	1.0	1.0