SiO2/Ge:SiO2/SiO2夹层结构红外光发射的起源

• 作者: 吴兴龙 沈今楷 袁仁宽 谭超 邓树胜 鲍希茂
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光荧光 磁控溅射 红外光发射 CeO色心
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 339-342
• 页数: 4页
• 分类号: O484.41
• 字数: 1990字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.04.006

摘要

我们借助傅立叶变换红外光谱(FT-IR)以及光致激发谱(PLE),研究了SiO2/Ge:SiO2/SiO2夹层结构红外光发射的起源.谱分析表明,该红外光发射并非起源于纳米锗、硅的量子限制效应以及锗、硅的中性氧空位,而与锗的氧化物紧密相关.PLE的结果证实它们来源于GeO色心Tn′→So的光学跃迁,给出的GeO电子态模型描述了载流子激发和复合的过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鲍希茂	南京大学物理系	14	75	6.0	8.0
2	沈今楷	南京大学物理系	3	22	3.0	3.0
3	吴兴龙	南京大学物理系	12	63	5.0	7.0
4	袁仁宽	南京大学物理系	8	36	4.0	5.0
5	谭超	南京大学物理系	2	13	2.0	2.0
6	邓树胜	南京大学物理系	1	4	1.0	1.0