SOI MOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移

• 作者: 万新恒 张兴 王阳元 甘学温 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI MOSFET 辐照特性
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 358-361
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2619字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.03.023

摘要

首次报道了辐照所引起的SOI/MOS器件PD(部分耗尽) 与FD(全耗尽) 过渡区的漂移．基于含总剂量辐照效应的SOI MOSFET统一模型，模拟了FD与PD过渡区随辐照剂量的漂移．讨论了辐照引起FD与PD器件转化的原因，进一步分析了FD与PD器件的辐照效应．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
3	王阳元	北京大学微电子学研究所	78	1128	15.0	32.0
4	甘学温	北京大学微电子学研究所	13	141	7.0	11.0
5	万新恒	北京大学微电子学研究所	5	32	4.0	5.0