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摘要:
选取不含H2的SiCl4/O2混合气体作为反应源气体,并利用普通的PECVD技术来实现低温沉积Si基微米厚度的SiO2薄膜,测试并分析薄膜的红外吸收谱以及工艺参数对沉积过程的影响.
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文献信息
篇名 用SiCl4/O2-PECVD技术低温沉积Si基厚SiO2薄膜
来源期刊 真空 学科 工学
关键词 二氧化硅薄膜 SiCl4 PECVD 低温沉积
年,卷(期) 2001,(4) 所属期刊栏目 学位论文
研究方向 页码范围 30-33
页数 4页 分类号 TN305.8|TB43
字数 3036字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-0322.2001.04.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 余云鹏 27 230 8.0 14.0
2 林璇英 40 400 10.0 18.0
3 吴永俊 38 190 6.0 12.0
4 徐严平 11 44 5.0 6.0
传播情况
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引文网络
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二级参考文献  (0)
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1993(1)
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1998(4)
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2001(0)
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研究主题发展历程
节点文献
二氧化硅薄膜
SiCl4
PECVD
低温沉积
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空
双月刊
1002-0322
21-1174/TB
大16开
辽宁省沈阳市万柳塘路2号
8-30
1964
chi
出版文献量(篇)
2692
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3
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