用SiCl4/O2-PECVD技术低温沉积Si基厚SiO2薄膜

• 作者: 余云鹏 吴永俊 徐严平 林璇英
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 二氧化硅薄膜 SiCl4 PECVD 低温沉积
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 学位论文
• 页码范围: 30-33
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.8|TB43
• 字数: 3036字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2001.04.009

摘要

选取不含H2的SiCl4/O2混合气体作为反应源气体,并利用普通的PECVD技术来实现低温沉积Si基微米厚度的SiO2薄膜,测试并分析薄膜的红外吸收谱以及工艺参数对沉积过程的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余云鹏		27	230	8.0	14.0
2	林璇英		40	400	10.0	18.0
3	吴永俊		38	190	6.0	12.0
4	徐严平		11	44	5.0	6.0