InGaN基发光二极管和激光二极管

• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN 发光二极管 激光二极管
• 年，卷（期）: 2001,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 48-52
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 2120字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.012

摘要

在InGaN发光二极管中,尽管存在着大量的位错,但其效率还是相当高的.用InGaN作为有源层是很重要的.在InGaN基LED的情况下,为产生光发射需要较高的激发功率.横向大面积外延生长的GaN激光二极管(LDs)是在厚的GaN衬底上外延制备成的.在温度250℃、30mW输出的连续工作状态下,其工作电流小于42mA,600℃、30mW输出的连续工作状态下的寿命约为15 000小时.这些结果表明,螺旋位错密度的降低延长了激光二极管的寿命.此外,良好的散热也是很重要的.