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非晶半导体的研究与应用
非晶半导体的研究与应用
作者:
严辉
清水立生
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
硫系非晶半导体
氢化非晶硅
电子材料
摘要:
1968年Ovshinsky在多元硫系薄膜中观察到电的开关与存贮效应以来,特别是1975年氢化非晶Si的p型与n型掺杂控制的实现,非晶半导体作为一个重要的电子材料,在过去的30多年中吸引了大量的基础研究并得到了广泛的应用.本文综述了至今为止非晶半导体重要的研究与应用进展,并探讨非晶半导体今后主要的发展趋势.
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文献信息
篇名
非晶半导体的研究与应用
来源期刊
功能材料
学科
工学
关键词
硫系非晶半导体
氢化非晶硅
电子材料
年,卷(期)
2001,(4)
所属期刊栏目
综述
研究方向
页码范围
348-352
页数
5页
分类号
TN304.8
字数
6615字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1001-9731.2001.04.004
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
严辉
北京工业大学材料科学与工程学院
178
1225
16.0
29.0
2
清水立生
Kanazawa大学工学部电气与计算机工学研究科
1
13
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引证文献(1)
二级引证文献(0)
2007(3)
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二级引证文献(1)
2008(2)
引证文献(1)
二级引证文献(1)
2009(3)
引证文献(1)
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2010(9)
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引证文献(1)
二级引证文献(2)
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引证文献(1)
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2017(1)
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2018(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
2019(2)
引证文献(0)
二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
硫系非晶半导体
氢化非晶硅
电子材料
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
功能材料
主办单位:
重庆材料研究院
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-9731
CN:
50-1099/TH
开本:
16开
出版地:
重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
邮发代号:
78-6
创刊时间:
1970
语种:
chi
出版文献量(篇)
12427
总下载数(次)
30
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