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摘要:
1968年Ovshinsky在多元硫系薄膜中观察到电的开关与存贮效应以来,特别是1975年氢化非晶Si的p型与n型掺杂控制的实现,非晶半导体作为一个重要的电子材料,在过去的30多年中吸引了大量的基础研究并得到了广泛的应用.本文综述了至今为止非晶半导体重要的研究与应用进展,并探讨非晶半导体今后主要的发展趋势.
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文献信息
篇名 非晶半导体的研究与应用
来源期刊 功能材料 学科 工学
关键词 硫系非晶半导体 氢化非晶硅 电子材料
年,卷(期) 2001,(4) 所属期刊栏目 综述
研究方向 页码范围 348-352
页数 5页 分类号 TN304.8
字数 6615字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.04.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 严辉 北京工业大学材料科学与工程学院 178 1225 16.0 29.0
2 清水立生 Kanazawa大学工学部电气与计算机工学研究科 1 13 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
硫系非晶半导体
氢化非晶硅
电子材料
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
功能材料
月刊
1001-9731
50-1099/TH
16开
重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
78-6
1970
chi
出版文献量(篇)
12427
总下载数(次)
30
总被引数(次)
91048
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