蒙特卡罗方法模拟金属-半导体接触的直接隧穿效应

• 作者: Hideaki Fujitani Patrice Houlet 刘晓彦 孙雷 杜刚 韩汝琦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 蒙特卡罗器件模拟 金属-半导体接触 直接隧穿 Schottky效应PACC:7340J J115Q
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1364-1368
• 页数: 5页
• 分类号: O47
• 字数: 598字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.11.002

摘要

运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应.模拟的内容包括具有不同的势垒高度的金属-半导体接触在正向和反向偏置下的工作状态.分析模拟结果可知,隧穿电流在反向偏置下起主要的作用.同时还模拟了引入肖特基效应后,SBD的工作特性,验证了模拟使用的物理模型.得到了与理论计算值符合的模拟结果.分析模拟结果表明,由于肖特基效应形成的金属-半导体接触势垒的降低,会在很大程度上影响金属-半导体接触的输运特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晓彦	北京大学微电子研究所	41	268	9.0	15.0
2	韩汝琦	北京大学微电子研究所	38	261	10.0	14.0
3	杜刚	北京大学微电子研究所	15	56	5.0	7.0
4	孙雷	北京大学微电子研究所	6	35	4.0	5.0