光电材料多孔硅的多孔度理论计算方程

• 作者: 廉德亮 谢国伟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔度 多孔硅 发光强度
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 817-820
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 806字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.07.001

摘要

在制备多孔硅材料时,多孔硅的多孔度和厚度与电解电流强度、电解时间以及氢氟酸的浓度有关.如果氢氟酸的浓度保持不变,通过改变电解时间和电解电流强度就可以得到所需多孔硅的多孔度及厚度.但现在一般都通过测量设备来重复测量多孔硅的多孔度及厚度,特别是多层多孔硅,很难严格控制其厚度.为此,通过对多孔硅中载流子运动的研究,结合BET方程中的SBET定义,推导出多孔硅的多孔度、电解速度和电解电流强度之间的关系表达式.通过该理论公式,就可以保证精确得到多孔硅的多孔度及厚度.该理论公式得到了实验的验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢国伟	香港浸会大学物理系	11	71	6.0	7.0