FN应力下超薄栅N-MOSFET失效的统计特征及寿命预测

• 作者: 段小蓉 穆甫臣 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 可靠性 超薄栅MOSFET Weibull分布
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1577-1580
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2131字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.12.020

摘要

通过对不同氧化层厚度的N-MOSFET在各种条件下加速寿命实验的研究,发现栅电压漂移符合Weibull分布.Weibull分布统计分析表明,5.0、7.0和9.0nm器件在27和105C下本征失效的形状因子相同,即本征失效的失效机制在高低温度下相同.非本征失效的比例随温度升高而增大.在此基础上得出平均寿命(t50)与加速电场E成指数关系,进而提出了器件的寿命预测方法.此方法可预测超薄栅N-MOSFET在FN应力下的寿命.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭长华	北京大学微电子所	48	99	5.0	7.0
2	许铭真	北京大学微电子所	52	102	5.0	7.0
3	穆甫臣	北京大学微电子所	7	14	2.0	3.0
4	段小蓉	北京大学微电子所	9	26	3.0	5.0