ITO用作铁电薄膜电极的研究

• 作者: 李坤 李金华 汤国英 陈汉松 陈王丽华
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: ITO薄膜 铁电电容电极 Sol-Gel法
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 64-66
• 页数: 3页
• 分类号: TM304.9
• 字数: 3664字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.01.023

摘要

研究了sol-gel掺锡氧化铟(ITO)溶胶在SiO2/Si衬底和光学玻璃衬底上的成膜及结晶性能,并与CVD法生长的ITO薄膜作了对比.结论是,sol-gel ITO膜,虽然具有与CVDITO膜相似的结晶性能和较高的导电性,但以sol-gel ITO膜作下电极,无法使PLT、PZT的sol-gel膜具有明显的结晶取向.因漏电太大,sol-gel ITO也无法作sol-gel铁电膜(如PLT,PZT)的上电极.但在CVD ITO膜上,sol-gel铁电膜能很好结晶,且Au/PLT/ITO电容,具有良好的电学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李金华	江苏石油化工学院功能材料实验室	12	208	7.0	12.0
2	陈汉松	江苏石油化工学院功能材料实验室	1	10	1.0	1.0
3	李坤	江苏石油化工学院功能材料实验室	3	28	3.0	3.0
4	汤国英	香港理工大学电子工程系	3	14	2.0	3.0