Ge覆盖多孔硅结构的桔绿光发射

• 作者: 吴兴龙 唐宁 顾沂 鲍希茂
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ge覆盖多孔硅 光致发光 光谱分析
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1525-1528
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2250字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.12.009

摘要

使用514.5nm Ar+激光检测了Ge覆盖多孔硅结构的光致发光谱(PL),观察到峰位2.25eV,半峰宽约0.1eV的一个新的桔绿发光峰.随着覆盖Ge薄膜的加厚,这个桔绿发光峰的峰位保持不变,但发光强度显著下降.实验和分析结果表明,该桔绿发光峰源于多孔硅和嵌于其孔中的Ge纳米晶粒两者界面中的Ge相关缺陷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鲍希茂	南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室	14	75	6.0	8.0
2	吴兴龙	南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室	12	63	5.0	7.0
3	唐宁	南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室	5	19	3.0	4.0
4	顾沂	南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室	3	11	2.0	3.0