半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR) 的分子束外延生长

• 作者: 晏长岭 赵英杰 钟景昌
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分布布拉格反射镜(DBR) 超晶格 分子束外延(MBE) 反射谱 串联电阻
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 446-450
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 3276字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.04.012

摘要

用分子束外延技术(MBE)生长了以GaAs/AlAs超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的P型半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR)．此分布布拉格反射镜的反射谱中心波长为850nm．由实验表明，19个周期的反射镜获得了高达99％以上的高反射率．与此同时，采取自行设计的二次钨丝掩膜质子注入法制成15μm×15μm的正方形电流注入区，以此测定P型反射镜的串联电阻，克服了湿化学腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点，实验得出此P型反射镜的串联电阻仅为50Ω左右．在生长过程中，发现在只含一个铝源的分子束外延生长系统中，生长这种半导体/超晶格反射镜相对其他半导体/半导体反射镜要节省很多外延生长时间，因此较适合应用于多层结构的光电器件中．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	晏长岭	中国科学院长春光学精密机械物理研究所	5	44	4.0	5.0
2	赵英杰		3	19	3.0	3.0
3	钟景昌		4	19	3.0	4.0