镜像势引起的势垒降低对超薄栅MOS结构的直接隧穿电流的影响

• 作者: 卫建林 毛凌锋 穆甫臣 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 镜像势 直接隧穿 MOS
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1044-1047
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2270字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.08.019

摘要

随着器件尺寸的不断减小，直接隧穿电流将代替FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素．数值求解的结果表明：镜像势引起的势垒降低对超薄栅MOS直接隧穿电流有较大的影响．利用WKB近似方法，获得了镜像势对直接隧穿电流影响的定性表达式．镜像势对直接隧穿电流的影响随着栅电压的减小而增大，但是随着栅氧化层厚度的减小而减小．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛凌锋	北京大学微电子学研究所	16	38	4.0	4.0
2	谭长华	北京大学微电子学研究所	48	99	5.0	7.0
3	许铭真	北京大学微电子学研究所	52	102	5.0	7.0
4	卫建林	北京大学微电子学研究所	7	19	3.0	4.0
5	穆甫臣	北京大学微电子学研究所	7	14	2.0	3.0