结晶硅材料的单脉冲和多脉冲激光损伤研究

• 作者: 倪晓武 张淑仪 沈中华 陆建 陈建平
• 来源期刊: 南京大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 激光损伤 硅 单脉冲 多脉冲
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 79-83
• 页数: 5页
• 分类号: TN249
• 字数: 599字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0469-5097.2001.01.012

摘要

对半导体材料硅的单脉冲和多脉冲激光损伤现象进行研究,实验结果表明多脉冲激光辐照的损伤阈值比单脉冲的少,且多脉冲激光损伤阈值是与脉冲重复频率相关的,随脉冲重复频率增大而减少,说明损伤过程中累积效应的存在.根据实验结果和理论计算,我们指出热积累并不是损伤阈值降低的唯一原因,并对可能的损伤机理进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆建	南京理工大学应用物理系	172	1702	21.0	27.0
2	倪晓武	南京理工大学应用物理系	227	2204	23.0	31.0
3	陈建平	南京理工大学应用物理系	9	88	5.0	9.0
4	张淑仪		85	578	14.0	21.0
5	沈中华		4	59	3.0	4.0