Bi2 Ti2 O7/Si薄膜的制备及C-V特性研究

• 作者: 沈学础 王少伟 王弘 王栋 王民 陆卫
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: C-V特性 Bi2Ti2O7薄膜 电荷迁移
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2461-2465
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2429字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.12.033

摘要

采用化学溶液分解法(CSD)在Si衬底上制备了Bi2Ti2O7薄膜.X射线双晶衍射和原子力显微镜检测表明,所制备的薄膜主要为Bi2Ti2O7相的多晶材料.同时还研究了Au/Bi2Ti2O7/n-Si(100)结构的电容-电压(C-V)特性,结果表明,在Bi2Ti2O7薄膜中同时存在固定的与可移动的负电荷,可移动的负电荷导致了C-V曲线的回线效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王民	山东大学晶体材料国家重点实验室	27	290	7.0	16.0
2	陆卫	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	95	442	12.0	16.0
3	王弘	山东大学晶体材料国家重点实验室	23	157	7.0	12.0
4	王少伟	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	13	35	3.0	5.0
6	沈学础	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	17	41	3.0	6.0
7	王栋	山东大学晶体材料国家重点实验室	54	298	11.0	15.0