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摘要:
讨论了将PtSi红外探测器截止波长延长的理论基础,并介绍了采用在衬底掺入Tl+和Ir+,MBE生长P+层以及低能离子注入B+,In+来延长PtSi红外探测器截止波长的三种方法。
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 PtSi红外探测器截止波长延长研究
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 PtSi 红外探测器 掺杂 MBE 低能离子注入
年,卷(期) 2001,(2) 所属期刊栏目 研究论文与技术报告
研究方向 页码范围 109-111
页数 3页 分类号 TN362
字数 1907字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5868.2001.02.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 宁永功 电子科技大学信息材料工程学院 14 40 4.0 5.0
2 陈艾 电子科技大学信息材料工程学院 23 487 12.0 22.0
3 杨家德 10 119 5.0 10.0
4 刘爽 2 4 1.0 2.0
5 刘飒 1 1 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
PtSi 红外探测器
掺杂
MBE
低能离子注入
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
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