用MOVPE方法外延生长Si掺杂的立方相GaN

• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si掺杂GaN MOVPE 光致发光特性
• 年，卷（期）: 2001,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 705字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.001

摘要

用MOVPE方法采取一种两步生长过程生长了未掺杂和Si掺杂的GaN.在生长了一个20nm厚的缓冲层后,外延生长了1μm厚的立方GaN外延层.利用二次离子质谱测定了掺杂的程度.并用X射线衍射和光致发光测量来表征了未掺杂和Si掺杂GaN的结构和光学质量.