圆柱突变结击穿电压及电场沿结边的分布

• 作者: 何进
• 来源期刊: 半导体情报
• 学科: 工学
• 关键词: 平面结 击穿电压 结深 场分布
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究探讨
• 页码范围: 54-57
• 页数: 4页
• 分类号: TN302
• 字数: 2128字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2001.01.014

摘要

基于横向侧扩散与纵向体扩散结深构成椭圆形冶金结外形这一与工艺实际相符合的假设,通过圆柱对称解的归一化,提出了平面结击穿电场沿结边分布的解析解.理论结果阐述了不同结深及结边形状对边缘区击穿电压的影响规律,说明了表面击穿电压总是小于体内击穿电压的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何进	北京大学微电子学研究所	24	84	5.0	8.0