SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析

• 作者: 卜伟海 张兴 徐文华 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 浮体效应 环振
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1147-1153
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 4608字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.013

摘要

针对SOI器件中的瞬态浮体效应进行了一系列的数值模拟,通过改变器件参数,比较系统地考察了SOI器件中瞬态浮体效应,同时也研究和分析了瞬态浮体效应对CMOS/SOI电路(以环振电路为例)的影响,并提出了抑制器件浮体效应的器件结构和参数优化设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子所	120	618	12.0	20.0
3	徐文华	北京大学微电子所	2	11	1.0	2.0
4	卜伟海	北京大学微电子所	5	7	2.0	2.0