邻苯三酚红修饰碳糊电极吸附伏安法测定痕量锑的研究

• 作者: 李益恒 谢红旗 郭会时
• 来源期刊: 湘潭大学自然科学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 锑 邻苯三酚红 碳糊修饰电极 吸附伏安法
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 68-71
• 页数: 4页
• 分类号: O657.4
• 字数: 2984字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5900.2001.01.018

摘要

研制了采用邻苯三酚红（PR）作修饰剂的碳糊修饰电极，并利用所制备的电极作工作电极建立了测定痕量锑的方法．在0.050 mol/L的H3PO4溶液中，于0 V（vs.SCE）搅拌富集时，Sb（Ⅲ）与修饰电极表面的PR生成电活性络合物并吸附富集于电极表面，然后在-0.50 V静止还原后，再进行阳极化扫描，在0.05 V左右获得一灵敏的锑溶出峰，二次导数峰电流与锑浓度在8.0×10-10～2.8×10-7　mol/L范围内呈线性关系，检出限达4×10-10　mol/L．同时，探讨了电极反应机理．方法应用于合成水样中锑的测定，结果满意．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李益恒	湘潭大学化学化工学院	36	189	9.0	12.0
2	谢红旗	湘潭大学化学化工学院	6	58	5.0	6.0
3	郭会时	广东韶关大学化学系	2	21	2.0	2.0