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摘要:
介绍了单片集成硅光接收器的研究背景、硅光电探测器工作机理以及它对实现高性能单片集成硅光接收器的影响,回顾总结了近年来的研究进展,并报道了我们的研究结果,展望了今后的发展.
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文献信息
篇名 单片集成硅光接收器中p-i-n硅光电探测器的进展
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 p-i-n硅光电探测器 SOI 单片集成硅光接收器
年,卷(期) 2001,(10) 所属期刊栏目 EDA技术专栏
研究方向 页码范围 52-57
页数 6页 分类号 TN36
字数 5037字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2001.10.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴霞宛 天津大学电信工程学院 52 469 11.0 19.0
2 陈迪平 湖南大学电子科学与技术系 56 273 9.0 13.0
3 郭维廉 天津大学电信工程学院 145 419 10.0 12.0
4 郭辉 天津大学电信工程学院 18 75 5.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
p-i-n硅光电探测器
SOI
单片集成硅光接收器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
总被引数(次)
24788
论文1v1指导