6H-SiC高反压台面pn结二极管

• 作者: 刘忠立 徐萍 李晋闽 王姝睿 王良臣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 pn结二极管 6H-SiC
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 507-510
• 页数: 4页
• 分类号: TN31
• 字数: 3238字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.04.025

摘要

在可商业获得的单晶6H-SiC晶片上，通过化学气相淀积，进行同质外延生长；并在此6H-SiC结构材料上，利用反应离子刻蚀和接触合金化技术，制作台面pn结二极管．详细测量并分析了器件的电学特性，测量结果表明此6H-SiC二极管在室温、空气介质中，-10V时，漏电流密度为2.4×10-8A/cm2，在反向电压低于600V及接近300℃高温下都具有良好的整流特性．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
2	徐萍	中国科学院半导体研究所	104	1243	21.0	33.0
3	刘忠立	中国科学院半导体研究所	77	412	12.0	14.0
4	王良臣	中国科学院半导体研究所	31	192	8.0	13.0
5	王姝睿	中国科学院半导体研究所	7	52	5.0	7.0