GeSi-PMODMOS器件研究

• 作者: 张铃铃 江锋 洪海燕 贾永华 郑宜钧 顾军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GeSi异质结构 调制掺杂 MODMOS
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 所属期刊栏目: 设计与开发
• 页码范围: 49-53,58
• 页数: 6页
• 分类号: TN325.3
• 字数: 3764字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2001.09.014

摘要

在分析PMODMOS结构以及器件物理基础上,重点研究了GeSi沟道中Ge含量分布、超薄栅介质层SiO2和Si帽层厚度等对GeSi-PMODMOS特性的影响.介绍了与GeSi-PMODMOS结构器件相关的超薄栅介质层(PESiO2,LPSiO2)、超浅结工艺和超浅结金属化等重要工艺技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑宜钧		1	0	0.0	0.0
2	顾军		1	0	0.0	0.0
3	贾永华		1	0	0.0	0.0
4	江锋		1	0	0.0	0.0
5	张铃铃		1	0	0.0	0.0
6	洪海燕		1	0	0.0	0.0